两性故事 高密度互连，引爆后摩尔时期立异

开端：司逸 晶上寰球两性故事

2024年7月26日，Yole Group最新发布评释指出，先进封装市集瞻望将以每年11%的复合年增长率（CAGR）增长，到2029年达到695亿好意思元。况兼Yole Group在6月发布的评释中指出玻璃芯基板在先进封装范围中正成为新的创新焦点，引颈着超集成高密度互连时期的飞跃。通过捏续的时期创新结束高密度互连，将是鞭策先进封装时期在后摩尔时间跨越发展的要道处所。

后摩尔新兴时期

催生高密度互连发展机遇

现阶段，摩尔定律正濒临经济和工程双重挑战，跟着制程时期的特出，每百万门器件的老本不降反升，产物瞎想和坐褥线修复的老本急剧加多。

在这种配景下，Chiplet等新兴时期应时而生，鞭策先进封装时期向高密度集成标的发展。包括有机基板（含EMIB）、硅转接（CoWoS）、晶上系统（SoW）、倒装/FC（含TCB、HB）等一系列时期，正在从头界说集成电路的将来。

据台积电（TSMC）的预测数据，到2030年，单芯片（单Die）的集成度将达到2000亿，单个封装的集成度将达到10000亿。通过使用更复杂的封装结构和普及封装互连密度，不错将芯片的晶体管集成度普及5倍。更进攻的是，通过封装普及集成度的老本远低于前说念工艺为晶体管集成度普及所付出的代价。

范冰冰 女同

先进封装管理有谋划

束缚恋新忘旧

在超高集成的发展趋势下，各大企业纷纷亮剑，针对CPU、GPU、FPGA等多种不同功能的芯片产物，接管了多种封装集成有谋划。

另外，近几年，晶圆级封装管理有谋划脱颖而出。Tesla和加州大学基于不同封装时期阶梯推出的SoW遵循都具备权贵的超高集成互连密度上风。

中电科58所

国内高密度互连时期领航者

在这场全球时期竞赛中，中国力量相通箝制淡薄。中电科58所，手脚国内高密度互连时期的领军者，正以超卓的瞎想智商和前瞻性的管理有谋划，积极拥抱这场时期立异。

中电科58所基于现存先进封装产线，依托于高密度有机基板加工平台，结合业内玻璃芯材制备智商，完成玻璃芯有机基板研制平台搭建。

现在，已打破玻璃热推广统统改性时期、深孔内种子层阿谀千里积时期、高密度极多层布线、超细垂直盲孔填充等中枢时期，结束具有高布线密度、短加工制造周期、高频传输性能及高可靠的玻璃芯有机基板制备，酿周至经由玻璃芯有机基板加工时期阶梯与可靠性评价有谋划。

超密互连通孔展示

玻璃基板与有机基板对于承载芯片数目的对比

高密度互连时期的迅猛发展，正为后摩尔时间的先进封装带来无尽可能。以中电科58所为代表的创生力军将通过束缚的打破与积聚，不竭引颈这场变革，鞭策先进封装时期的跨越式发展，为我国集成电路的将来注入新的活力和能源。

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